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        芯片散热有了新思路 我国科学家开发出介电基底修饰新技术

        大字 日期:2019-03-16 来源:新华网

          新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术,有望解决芯片散热问题。相关?#33455;?#25104;果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

          ?#33455;?#34920;明,在一个芯片中,半导体材料和绝缘体材料之间,以六方氮化硼为材质的界面材料,将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是,?#33455;?#20154;员先将其在别的“盆”里种出来,然后移栽到芯片材料上。

          复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室?#33455;?#21592;魏大程带领团队,开发了一种共形六方氮化硼修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术,能让芯片材料?#38405;?#26174;著提升。

          专家表示,这一技术具有高普适性,不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件,还可以推广到其他材料和更多器件应用中,共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。

        [责任编辑?#33322;?#23159;]

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